| 電化學(xué)電容測(cè)試：第三部分—電化學(xué)阻抗譜 |
| 提 供 商： | 美國(guó)Gamry電化學(xué) | 資料大?。?/td> | |
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本章為應(yīng)用指南的第三部分，主要闡述能量轉(zhuǎn)換裝置相關(guān)的電化學(xué)技術(shù)。本章主要討論的是電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ)（EIS）知識(shí)并且將通過(guò)在單電化學(xué)電容和堆棧上的測(cè)試介紹Gamry的電化學(xué)阻抗技術(shù)。 簡(jiǎn)介 本系列指南的*部分將討論電容器理論基礎(chǔ)并且闡述集中用于研究電化學(xué)電容的幾種技術(shù)手段。 第二部分主要解釋Gamry電化學(xué)能量PWR800軟件在能量轉(zhuǎn)換裝置循環(huán)測(cè)試上的使用。闡述了單電池和堆棧在循環(huán)過(guò)程中不同設(shè)置參數(shù)的影響。 實(shí)驗(yàn) 本指南中描述的幾種電化學(xué)阻抗譜技術(shù)（EIS）可以在Gamry技術(shù)中完成。為此，測(cè)試在如下幾種電容進(jìn)行： Nesscap公司的3F雙電層電容（EDLCs）（P/N ESHSR 0003C0 002R7）和5F雙電層電容（EDLCs）（P/N ESHSR 0005C0 002R7），Maxwell公司的650F雙電層電容（P/N BCAP0650 P270）以及Taiyo Yuden公司的1F PAS贗電容（P/N PAS0815LR2R3105）。PAS是一種沉積在電極上的導(dǎo)電半導(dǎo)體多并苯半導(dǎo)體首字母的縮寫(xiě)。 本指南中的數(shù)據(jù)均采用Gamry EIS300和Reference 3000進(jìn)行記錄。所有繪圖都由Gamry電化學(xué)分析軟件Echem Analyst生成和評(píng)價(jià)。 電化學(xué)阻抗譜 電化學(xué)阻抗譜是在研究電化學(xué)體系中一種被廣泛應(yīng)用的技術(shù)。EIS的優(yōu)勢(shì)在于測(cè)試對(duì)研究體系無(wú)損。這使得進(jìn)一步電化學(xué)測(cè)量和后期研究成為可能。 電化學(xué)阻抗譜是一種測(cè)量電化學(xué)電容中等效串聯(lián)電阻zui常用的方法。其同樣可以用來(lái)建立模型描述未知的反應(yīng)機(jī)理。采用這些模型也可以研究電容的非理想性…… |
