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從商業(yè)軟件擬合得到的阻抗結(jié)果中確定正確的Cdl值

更新時(shí)間:2020-04-10點(diǎn)擊次數(shù):6421

介紹

引入常相位角元件(CPE)來(lái)代替EIS測(cè)試中的電容元件,大多數(shù)商業(yè)軟件(Gamry, Scribner, Solartron等)都可以擬合EIS數(shù)據(jù)。與使用純電容獲得的擬合結(jié)果相比,CPE獲得的結(jié)果要好得多。

考慮到CPE定義了電化學(xué)EIS實(shí)驗(yàn)中表面的不均勻性以及固態(tài)EIS測(cè)試中電荷分布不均勻性,在真實(shí)體系中使用CPE能獲得更好的擬合是合理的。主要的問(wèn)題是,在商業(yè)軟件中使用CPE擬合得到的電容沒(méi)有容量的單位,即 F cm-2或者Ω-1 cm-2,而是Ω-1 cm-2 sa,其中a是CPE[1](ZCPE = Zdl(jω)-a)方程式中的指數(shù)。

論文[2-4]已討論過(guò)這一問(wèn)題,近,Hsu和Mansfeld [5]通過(guò)使用公式(1),在CPE與R并聯(lián)情況下,開(kāi)發(fā)了將容量和其真實(shí)值進(jìn)行校正的公式。

correction of capacity

其中ω”max 表示-Z’’大時(shí)的角頻率,此時(shí)與指數(shù)a無(wú)關(guān),Adl表示擬合結(jié)果。

在討論對(duì)時(shí)間常數(shù)分布不同的處理方法時(shí),M. Orazem等[6]指出,CPE與R并聯(lián)時(shí)等效電路的阻抗可用公式(2)或(3)表示。

eq2 3 equivalent circuity parallel connection

重要的是要注意,所有商業(yè)軟件擬合阻抗數(shù)據(jù)時(shí)都用的公式(3)。

近的研究表明,在0.01M NaCl溶液中的Ag[111][7]和在0.1M NaOH溶液中的Cu單晶[8]甚至不能將單晶表面視為均質(zhì),并且用Cdiff對(duì)f曲線分析研究陰離子吸附時(shí),應(yīng)該引入CPE代替Cdl。公式(4)是用CPE代替Cdl,并使用商業(yè)軟件定義的CPE得到的。

eq4 software definition of cpe

式中Adl沒(méi)有容量單位,因此有必要通過(guò)擬合Cdiff VS f曲線來(lái)校正Adl值。根據(jù)G. J. Brug等[9]的研究結(jié)果,對(duì)于CPE與Rs串聯(lián)(溶液電阻),Cdl的值可以通過(guò)公式(5)[7]得到

eq5 analysis of differential capacity

在這項(xiàng)工作中,為了確定電容真實(shí)值和用商業(yè)軟件擬合EIS得到的擬合值之間的關(guān)系,分析了對(duì)應(yīng)于CPE與R并聯(lián)的電化學(xué)過(guò)程的微分電容和阻抗。

結(jié)果和討論

考慮公式(2)和(3),可以得出結(jié)論,公式(2)似乎更加正確,因?yàn)樵谠摰仁街校杀砻娌痪鶆蛐詫?dǎo)致的電容頻率分散與同一表面電荷轉(zhuǎn)移分布密切相關(guān),這兩個(gè)因素是互相依賴的。由公式(2)得到的微分電容為:

eq6

由公式(3)得到的微分電容為:

eq7 differential capacity derived

因此,公式(6)在單位上是正確的,而公式(7)是不正確的,需要額外的校正。

同時(shí),阻抗的實(shí)部(Z’)和虛部(Z’’)分別由公式(8)和(9)定義。

eq8 real z

 eq9 imaginary z

在將CPE視為獨(dú)立參數(shù)的條件下,如商業(yè)軟件使用的公式(3)那樣,微分電容公式如式(9)所示,Z’和Z’’由公式(10)和(11)定義,在單位上是不正確的。

eq10 11 z defined equations

fig1 z impedance diagrams

圖1是Z’ VS Z’’圖,可以看到用公式(8)和(9)得到的圖和用公式(10)和(11)是一樣的,但是在-Z’’ VS log f圖中存在很大的差異。正如Hsu和Mansfeld [5]在論文中提到的那樣,當(dāng)使用公式(8)和(9)時(shí),在-Z’’ VS log f圖(圖2)中,-Z’’ 的大值與頻率無(wú)關(guān)。通過(guò)商業(yè)軟件對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果擬合后,可以用公式(1)獲得雙電層電容的正確值。

fig2 z vs log f diagrams

電容實(shí)際值和擬合值之間的差異是很明顯的,如圖3所示,這種差異取決于R和a的值。

fig3 dependence of adl

結(jié)論

從結(jié)果和討論中可總結(jié)為,只有在CPE與R并聯(lián)時(shí),使用公式(1)校正雙電層電容的真實(shí)值才是有效的。

參考文獻(xiàn)

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  2. E. van Westing, PhD Thesis, Technical University of Delft, 1992.
  3. S.F. Mertens, C. Xhoffer, B.C. De Cooman and E. Temmerman, Corrosion 53 (1997) 381.
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  6. M.E. Orazem, P. Shukla and M.A. Membrino, Electrochim. Acta 47 (2002) 2027.
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  9. G.J. Brug, A.L.G. van Eeden, M. Sluyters-Rehbach and J. Sluyters, J. Electroanal. Chem. 176 (1984) 275.
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